[发明专利]半导体存储装置中产生初始化信号的方法有效
| 申请号： | 02131526.4 | 申请日： | 2002-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN1400654A | 公开（公告）日： | 2003-03-05 |
| 发明（设计）人： | 裵壹万;金载勋;李在鎣 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L27/00;G11C11/34 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 马莹,邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于产生初始化信号的方法，该初始化信号能够防止由于施加外部电源引起的安装在半导体存储装置中的内部电路的初始不稳定运行。该方法包括步骤(a)接收用于对半导体存储装置进行预充电的预充电指令；(b)根据所接收的预充电指令激活初始化信号达到第一电平；(c)在收到预充电指令后接收用于刷新半导体存储装置的刷新指令；(d)在收到刷新指令后接收用于设置半导体存储装置的运行模式的模式设置指令；以及(e)根据所接收的模式设置指令去激活初始化信号达到第二电平。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 产生 初始化 信号 方法 | ||
【主权项】：
1.用于产生初始化信号以初始化半导体存储装置的内部电路的方法，该方法包括步骤：(a)接收用于对半导体存储装置进行预充电的预充电指令；(b)根据所接收的预充电指令激活初始化信号达到第一电平；(c)在收到预充电指令后接收用于刷新半导体存储装置的刷新指令；(d)在收到刷新指令后接收用于设置半导体存储装置的运行模式的模式设置指令；以及(e)根据所接收的模式设置指令去激活初始化信号达到第二电平。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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