[发明专利]光刻胶层中减小图案大小的方法有效
| 申请号： | 02140154.3 | 申请日： | 2002-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN1396627A | 公开（公告）日： | 2003-02-12 |
| 发明（设计）人： | 菅田祥树;金子文武;立川俊和 | 申请（专利权）人： | 东京应化工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 宋莉,贾静环 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及在用于降低基质上的光刻胶层的图案大小的所谓涂覆热流动方法中的改进来实现光刻胶图案细度的增加，其中将形成在光刻胶层上的水溶性树脂涂层进行热处理，使该涂层产生热收缩，同时减小图案大小，随后通过水洗除去涂层。该方法的改进是通过下述步骤实现的除了水溶性树脂例如基于聚丙烯酸基的聚合物之外，在涂料水溶液中混合水溶性胺化合物例如三乙醇胺。进一步的改进是这样实现的从特殊的共聚物中选择水溶性树脂，所述特殊共聚物包括(甲基)丙烯酸和含氮化合物例如N－乙烯基吡咯烷酮、N－乙烯基咪唑啉酮和N－丙烯酰基吗啉的共聚物以及在特定共聚比下的N－乙烯基吡咯烷酮和N－乙烯基咪唑啉酮的共聚物。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 胶层中 减小 图案 大小 方法 | ||
【主权项】：
1、一种减小基质上的光刻胶图案大小的方法，包括下述步骤：(a)用涂料水溶液涂覆基质表面上的有图案光刻胶层形成涂层，所述涂料水溶液包括水溶性树脂和水溶性胺化合物；(b)干燥涂料水溶液的涂层；(c)将干燥的涂层进行热处理使涂层产生热收缩并降低光刻胶图案之间的距离；和(d)通过水洗除去涂层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京应化工业株式会社，未经东京应化工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02140154.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：叠层介电滤波器
- 下一篇：充电电路和/或放电电路及使用它们的载波检测电路
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
