[发明专利]半导体集成电路与D/A转换器及A/D转换器有效
申请号: | 02140262.0 | 申请日: | 2002-07-02 |
公开(公告)号: | CN1395311A | 公开(公告)日: | 2003-02-05 |
发明(设计)人: | 宫田美模;村田健治;野间崎大辅 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04;H01L21/822 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种半导体集成电路与D/A转换器及A/D转换器,为提高集成电路的电容精确度。在半导体集成电路上配置复数个电容单元,这些电容单元联有上方电极及下方电极,在这些电极上联接了各自的配线时,在不导致半导体集成电路的面积增大的情况下,可有效地控制电容单元的上方电极、下方电极以及各电容单元配线之间的电容耦合。在电容单元1A的上方电极3A上联接了上方电极配线5A,电容单元1C、1D的上方电极3C、3D由共同上方电极配线5C联接。上述电极配线5A,其侧方的电容单元1B、1D、1A的下方电极2B、2D、2A及联接这些电极的下方配线4之间配置屏蔽线6。另外,在上述共同电极配线5C的周围也配置屏蔽线6。 | ||
搜索关键词: | 半导体 集成电路 转换器 | ||
【主权项】:
1.一种半导体集成电路与D/A转换器及A/D转换器,它包括:相互接近配置的第1和第2配线,其中:为控制上述第1及第2配线的电容耦合而设置的屏蔽线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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