[发明专利]抗激光损伤宽谱带减反膜的制备方法无效
| 申请号： | 02140488.7 | 申请日： | 2002-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN1399147A | 公开（公告）日： | 2003-02-26 |
| 发明（设计）人： | 孙予罕;章斌;吴东;范文浩;徐耀 | 申请（专利权）人： | 中国科学院山西煤炭化学研究所 |
| 主分类号： | G02B1/11 | 分类号： | G02B1/11;C03C17/30;B05C3/00 |
| 代理公司： | 山西五维专利事务所(有限公司) | 代理人： | 李毅 |
| 地址： | 030001*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 一种抗激光损伤宽谱带减反膜的制备方法是以正硅酸乙酯为前驱体，在氨水催化条件下，按比例加入水、无水乙醇、聚乙烯吡咯烷酮和聚乙二醇，混和后充分搅拌进行反应、陈化、镀膜。具有制备条件温和，成本较低，操作简单，使制备出的SiO2膜不仅有宽度达400－600nm宽谱带减反性能，同时具有高抗激光损伤的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 损伤 宽谱带减反膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种抗激光损伤宽谱带减反膜的制备方法，其特征在于制备包括以下步骤：(1)镀膜溶胶的制备：以正硅酸乙酯为前驱体，在氨水催化条件下，按比例加入水、无水乙醇、聚乙烯吡咯烷酮和聚乙二醇，混和后充分搅拌进行反应；各物料之间的摩尔比配为：EtOH/TEOS＝20～100；H2O/TEOS＝1～10；PVP/TEOS＝2×10-6～1×10-8；PEG/TEOS＝3×10-4～2×10-3；氨水/TEOS＝0.02～0.3。(2)陈化：陈化温度可以在0～70℃之间，老化时间为3～60天；(3)镀膜：采用旋转镀膜法或提拉法进行一层单面镀膜或双面镀膜。
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