[发明专利]非易失半导体存储器件及其制造方法无效
| 申请号： | 02141806.3 | 申请日： | 2002-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN1396661A | 公开（公告）日： | 2003-02-12 |
| 发明（设计）人： | 角田弘昭;小林英行 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L27/105 | 分类号： | H01L27/105;H01L21/8239 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种非易失半导体存储器件，包括具有多个存储单元的元件区和元件分隔区。其中所述存储单元包括沟道区，在所述沟道区上形成的栅绝缘膜，在所述栅绝缘膜上形成的浮置栅电极，在所述浮置栅电极上形成的第二栅绝缘膜，在所述第二栅绝缘膜上形成的控制栅电极，在水平方向夹持所述沟道区而形成的源·漏区。而且所述元件分隔区包括在与所述源·漏区夹持所述沟道区的方向基本垂直的水平方向、夹持所述沟道区而形成的元件分隔绝缘体，在与所述源·漏区夹持所述沟道区的方向基本平行的水平方向、贯通所述元件分隔绝缘体内部的导电体。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失 半导体 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失半导体存储器件，包括具有多个存储单元的元件区和用于将所述存储单元彼此电气分隔的元件分隔区，其中，所述存储单元包括：沟道区；在所述沟道区上形成的栅绝缘膜；在所述栅绝缘膜上形成的浮置栅电极；在所述浮置栅电极上形成的第二栅绝缘膜；在所述第二栅绝缘膜上形成的控制栅电极；在水平方向夹持所述沟道区而形成的源·漏区，所述元件分隔区包括：在与所述源·漏区夹持所述沟道区的方向基本垂直的水平方向、夹持所述沟道区而形成的元件分隔绝缘体；在与所述源·漏区夹持所述沟道区的方向基本平行的水平方向、贯通所述元件分隔绝缘体内部的导电体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
