[发明专利]双金属氧化物－氮化物－氧化物半导体阵列金属位结构及单个单元操作无效
| 申请号： | 02146167.8 | 申请日： | 2002-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN1494086A | 公开（公告）日： | 2004-05-05 |
| 发明（设计）人： | 大仓世纪;齐藤智也;大仓智子 | 申请（专利权）人： | 哈娄利公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种双MONOS金属位线阵列的寻址方法，其读取及程序化一双MONOS金属位线阵列，其使用一具有X、Y及Z维的三维程序化方法，字线地址为X地址，控制栅极线地址为X及Z地址的函数、且位线地址为X及Y地址的函数，因为内存阵列的位线及控制栅极线呈直角，所以可清除一单个单元及一相邻的内存，该相邻的内存具有相同已选择位及控制栅极线，其要抑制藉由施加适当电压到未选择字组、控制栅极及位线上的清除。 | ||
| 搜索关键词： | 双金属 氧化物 氮化物 半导体 阵列 金属 结构 单个 单元 操作 | ||
【主权项】：
1.一种双MONOS金属位线阵列的寻址方法，包括：a)把一低字线地址到一高字线地址标记为字线；b)把一低控制栅极地址到一高控制栅极地址标记为控制栅极线；c)把一低位线地址数目到一高位线地址数目标记为位线，且对于每个该地址数目有一个“偶数”及“奇数”的额外指定；d)选择一组三维地址“X”、“Y”、及“Z”；e)选择该字线地址作为“X”地址；f)选择该控制栅极地址作为“X”及“Z”地址的函数；及g)选择该位地址作为“Y”及“Z”地址的函数，且不管控制栅极地址是“偶数”或“奇数”。
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