[发明专利]双金属氧化物－氮化物－氧化物半导体的控制栅极及字线电压升压设计无效
| 申请号： | 02146168.6 | 申请日： | 2002-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN1494087A | 公开（公告）日： | 2004-05-05 |
| 发明（设计）人： | 大仓法;大仓世纪 | 申请（专利权）人： | 哈娄利公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C11/34;H01L27/115;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种电路及方法，以在双金属氧化物氮化物半导体MONOS内存中提供一越控电压到控制栅极，经由升压一已选择位，在本发明中升压的电压是需以程序化、清除及读取2位MONOS单元，本发明提供一种装置用以使用电容耦接于已选择字线及邻近控制栅极间，以升压MONOS内存程序化、清除及写入模式的电压，使用电容耦接以升压在相邻已选择字线的控制栅极上的电压，以代替经由控制栅极及位线译码器及驱动器而产生所需的升压电压，此电压升压方法节省地址译码器硅化物区域、译码器电路复杂性、减少地址译码设定时间及清除地址译码器额外电压供应的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 双金属 氧化物 氮化物 半导体 控制 栅极 电压 升压 设计 | ||
【主权项】：
1.一种双MONOS(金属氧化物-氮化物-氧化物半导体)内存单元的控制栅极及字线电压升压电路，其包含有：一字线，其位于覆盖一薄氧化层上，一控制左栅极，其位于覆盖该薄氧化层中的一氮布植区上；一控制左栅极，其位于覆盖于该薄氧化层中的一氮布植区上；一控制右栅极，其位于覆盖于该薄氧化层中的另一个氮布植区上；及一位线，其位于该氧化层下的扩散区中。
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