[发明专利]横向磊晶形成磊晶层的方法无效
| 申请号： | 02148961.0 | 申请日： | 2002-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN1501517A | 公开（公告）日： | 2004-06-02 |
| 发明（设计）人： | 寺嶋一高;章烱煜;赖穆人 | 申请（专利权）人： | 威凯科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘朝华 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种横向磊晶形成磊晶层的方法，包括提供一硅基底；形成一磊晶罩幕层于硅基底表面；图案化磊晶罩幕层，以形成多数视窗区于相邻图案化磊晶罩幕层之间，露出部分硅基底表面；磊晶一磷化硼，先垂直磊晶磷化硼于视窗区内，直到磷化硼的厚度大于图案化磊晶罩慕层的厚度，使横向磊晶磷化硼于图案化磊晶罩幕层上方。磊晶罩幕层不仅可以形成于硅基底表面，用以使磷化硼缓冲层横向磊晶于其上方，磊晶罩幕层亦可以形成于磷化硼缓冲层表面，使一束缚层横向磊晶于其上方，还可以形成于束缚层表面，用以使一活性层横向磊晶于其上方。具有提高发光元件的发光效率和使用寿命，降低发光元件的成本及使磊晶层的结晶完美，以降低差排缺陷密度的功效。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 晶形 成磊晶层 方法 | ||
【主权项】：
1、一种横向磊晶形成磊晶层的方法，其特征是：它包括如下步骤：(1)提供一硅基底；(2)形成一磊晶罩幕层于该硅基底表面；(3)图案化该磊晶罩幕层，以形成多数视窗区于相邻图案化磊晶罩幕层之间，露出部分硅基底表面；(4)磊晶一磷化硼，先垂直磊晶该磷化硼于该视窗区内的硅基底表面，直到该磷化硼的厚度大于该图案化磊晶罩幕层的厚度，使横向磊晶该磷化硼于图案化磊晶罩幕层上方。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于威凯科技股份有限公司，未经威凯科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02148961.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：主动式有机发光二极管的制造方法
- 下一篇：以碳化硅为基板的发光元件
