[发明专利]具有铜熔丝的半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 02150606.X | 申请日： | 2002-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN1469466A | 公开（公告）日： | 2004-01-21 |
| 发明（设计）人： | 吴德源;李秋德 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L27/04;H01L21/70 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种具有铜熔丝的半导体结构及其形成方法。本发明的半导体结构藉由使用位于内层的铜金属层来作为熔丝，使得本发明中的铜熔丝可以容易被激光修补工具所切割。此外，本发明的方法可以在一道蚀刻制程中分别限定出在接合垫上方与在熔丝上方的开口。因此，藉由上述的过程，可以有效地形成一铜熔丝于一半导体结构中。此外，在本发明的方法中，还因为使用内层的铜金属层来取代习知技术中位于上层的铝熔丝，所以可以节省整个半导体制程的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 铜熔丝 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有铜熔丝的半导体结构，其特征在于，包含：一底材；一第一金属层位于该底材上；一铜熔丝位于该底材上，其中该铜熔丝与该第一金属层位于同一层且该铜熔丝与该第一金属层是彼此分离；一蚀刻终止层位于该铜熔丝上；一介电层位于该第一金属层上；一金属连接层位于该介电层中，该金属连接层是与该第一金属层电性耦合；一第二金属层位于该介电层上，其中该第二金属层与该金属连接层电性耦合；及一保护层位于该第二金属层与该蚀刻终止层上，其中该保护层包含可曝露出该第二金属层的一第一开口与可曝露出该蚀刻终止层的一第二开口。
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