[发明专利]多晶硅界定阶跃恢复器件

摘要

一种阶跃恢复器件用作半导体保护电路以防止由于诸如静电放电和类似的事件引起的对集成电路的损伤。一旦此阶跃恢复器件在达到触发点之后跳回到双极运行模式，它能够在一个降低了的电压下疏导极大的电流。该阶跃恢复器件具有低击穿电压的优势，这使得在由于超过有源电路部件的击穿电压而使它们发生损伤之前，阶跃恢复器件跳回到双极工作模式。该阶跃恢复器件包括形成在p－阱衬底区域内的n+有源区，每个有源区包括覆盖该有源区的多晶硅膜，但是该多晶硅膜通过介质膜与该有源区绝缘。每个n+有源区和多晶硅膜均通过导电膜连接，并且这些部分联合形成一个电极。阶跃恢复器件的一个电极连接到该器件的I/O端上，另一个电极连接到地或者电源上。

主权项

1.一种形成在半导体器件中的半导体保护结构，包括：形成在一个衬底表面的多个有源区，每个有源区中包含第一极性的掺杂杂质，所述多个有源区空间上隔离开，并且在有源区之间包含衬底区域，该衬底区域包括相反极性的掺杂杂质，每个有源区由所述有源区和所述衬底区域之间形成界面的边缘来界定；第一覆盖膜覆盖所述多个有源区的第一有源区，第二覆盖膜覆盖第二有源区，各个覆盖膜与所述对应的有源区通过二者之间插入的介质膜隔离开，并且，由导电材料和半导体材料中的一种形成；第一导电膜通过第一多个接触开孔与所述第一有源区电连接，通过至少一个第一开口连接到所述第一覆盖膜，并连接到所述半导体器件的输入/输出端，和第二导电膜通过第二多个接触开孔与所述第二有源区电连接，通过至少一个第二开口连接到所述第二覆盖膜，并连接到电源和电线源中的至少一个上。