[发明专利]具有测试模式的半导体存储器及应用它的存储系统无效
| 申请号： | 02159805.3 | 申请日： | 2002-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN1453793A | 公开（公告）日： | 2003-11-05 |
| 发明（设计）人： | 山冈茂;久家重博 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/34 | 分类号： | G11C11/34;G11C11/4078;G11C29/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘宗杰,王忠忠 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本SSRSDRAM备有根据第1指令(CMDA)、第2指令(CMDB)、测试模式进入设置指令(TMESA)、第3指令(CMDC)以及测试模式寄存器设置指令(TMRSA)与时钟信号(CLK)的上升沿同步地被连续地输入而把测试模式进入信号(TMODE)置为“H”电平的测试模式进入信号发生电路。从而，不使用高电压(SVIH)就可以进入测试模式，所以即使在编入注册DIMM的情况下也可以进入测试模式。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 测试 模式 半导体 存储器 应用 存储系统 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器，它是与时钟信号同步地取入多个外部信号的半导体存储器，其特征在于，还备有：根据所取入的多个外部信号的逻辑电平的组合，输出多个指令信号中的某个指令信号的译码器；以及根据从上述译码器中按预定的顺序输出上述多个指令信号，输出用于进入测试模式的测试模式进入信号的第1信号发生电路。
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