[发明专利]检测二氧化碳的半导体传感器气敏元件的制造方法无效
| 申请号： | 02160100.3 | 申请日： | 2002-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN1424778A | 公开（公告）日： | 2003-06-18 |
| 发明（设计）人： | 焦正;吴明红;顾建中;俎建华 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | H01L49/00 | 分类号： | H01L49/00;G01N27/12 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所 | 代理人： | 王正 |
| 地址： | 20007*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种检测二氧化碳的半导体传感器气敏元件的制造方法，其特征在于，采用厚膜工艺制造掺杂CuO－BaTiO3体系的厚膜气敏元件，掺杂物质包括AgNO3、PdCl4、SrO、La2O3、ZnO、Bi2O3中的一种或几种；该CuO－BaTiO3体系厚膜的基料制造方法为：采用分析纯BaCO3和TiO2以1∶1摩尔比混合在1300℃下煅烧6小时，研磨后，再和CuO按1∶1摩尔比混合，进一步研磨均匀，即得厚膜基料，然后再加入一定量的掺杂物质，研磨均匀，然后加入一定量的去离子水，并研磨至浆状；然后将浆料以丝网方式印刷在事先做好金电极和氧化钌电阻加热层的氧化铝衬底的顶面上，并在550℃下热处理5小时，生成厚膜，由此制得传感器的气敏元件。本发明的传感器气敏元件能对二氧化碳气体在100ppm至10％浓度范围内均有良好的传感性。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 二氧化碳 半导体 传感器 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种检测二氧化碳的半导体传感器气敏元件的制造方法，其特征在于，采用厚膜工艺制造掺杂CuO-BaTiO3体系的厚膜气敏元件，掺杂物质包括AgNO3，PdCl4、SrO、La2O3、ZnO、Bi2O3中的一种或几种；该CuO-BaTiO3体系厚膜的基料制造方法为：采用分析纯BaCO3和TiO2以1∶1摩尔比混合，并研磨均匀，混合物在1300℃下煅烧6小时，取出后粉碎并研磨均匀，将所得粉料和CuO按1∶1摩尔比混合，再次研磨均匀，即得厚膜基料；在该基料中加入一定量的掺杂物质，研磨均匀，然后在掺杂后的基料粉料中的加入一定量的去离子水，并研磨至浆状；然后将浆料以丝网方式印刷在事先做好金电极和氧化钌电阻加热层的氧化铝衬底的顶面上，并在550℃下热处理5小时，生成厚膜，由此制得传感器的气敏元件。
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