[发明专利]用于隔离多孔低K介电薄膜的结构和方法无效
| 申请号： | 02160418.5 | 申请日： | 2002-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN1430274A | 公开（公告）日： | 2003-07-16 |
| 发明（设计）人： | 科特·G·斯坦纳;苏珊·维特卡瓦格;斯蒂夫·莱特尔;杰拉尔德·吉伯森;斯科特·詹森 | 申请（专利权）人： | 艾格瑞系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/31;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国宾夕*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种薄膜结构，包括低k介电薄膜以及阻挡层薄膜、刻蚀中止薄膜和硬质掩模薄膜之类的N－H基源薄膜。在低k介电薄膜和邻近的N－H基薄膜之间插入抑制胺或其它N－H基从N－H基源薄膜向低k介电薄膜扩散的TEOS氧化物薄膜。由于在低k介电薄膜中没有基团中和化学增强抗蚀剂中的酸性催化剂，因此该薄膜结构可以采用DUV光刻和化学增强抗蚀剂制作图形。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 隔离 多孔 薄膜 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体产品，包括：低k介电层；包含N-H基团的氮基层，N-H基团可从氮基层扩散；以及直接插入在所述低k介电层和所述氮基层之间的含氧层。
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