[发明专利]ZnS－SiO2溅射靶及使用该靶而形成了ZnS－SiO2相变化型光盘保护膜的光记录介质有效
| 申请号： | 02800011.0 | 申请日： | 2002-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN1455825A | 公开（公告）日： | 2003-11-12 |
| 发明（设计）人： | 矢作政隆;高见英生 | 申请（专利权）人： | 株式会社日矿材料 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/08;G11B7/24;G11B7/26 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 丁香兰,丁业平 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明是以含有0.001～5重量％的Na、K或选自其氧化物的一种或多种氧化物作为添加剂为特征的ZnS－SiO2溅射靶。通过能够以低成本稳定地产出其中的SiO2晶粒微细、具有95％或95％以上的高密度的靶，获得了一种用于形成光盘保护膜的溅射靶，所述的保护膜能够进一步地提高成膜的均一性，并增加生产率，还获得了一种光记录介质，在其上通过使用ZnS－SiO2溅射靶而形成了ZnS－SiO2相变化型光盘保护膜。 | ||
| 搜索关键词： | zns sio2 溅射 使用 形成 相变 光盘 保护膜 记录 介质 | ||
【主权项】：
1.一种ZnS-SiO2溅射靶，其特征是含有0.001～5重量％的Na、K或选自其氧化物的一种或多种氧化物作为添加剂。
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