[发明专利]具有改进开关特性的硅上绝缘体LD金属氧化物半导体结构有效
| 申请号： | 02800414.0 | 申请日： | 2002-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN1457514A | 公开（公告）日： | 2003-11-19 |
| 发明（设计）人： | J·佩特鲁泽洛;T·J·莱塔维克;M·R·辛普森 | 申请（专利权）人： | 皇家菲利浦电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L29/41 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 章社杲 |
| 地址： | 荷兰艾恩*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种对具有横向漂移区和导电顶场板的晶体管器件的改进方法和结构。该方法包括借助于减小连接栅电极的部分场电板，以及减小具有漂移区的栅极和漏极的有效重叠部分来减小栅极到漏极电容。这样导致晶体管开关过程中能量损耗减少，且更有效工作。在较高的漏电压时栅极到漏极的电容的减小率更快，有助于高压应用中有明显的能量效率。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改进 开关 特性 绝缘体 ld 金属 氧化物 半导体 结构 | ||
【主权项】：
1.一种将开关晶体管时的能量损耗减少的方法，该晶体管具有横向漂移区(32)，在所述的横向漂移区(32)的一部分上横向延伸的栅电极(36，36A)，以及在所述的横向漂移区(32)的至少一部分上横向延伸的导电场电板(44，44A)，该方法包括：使延伸的栅极部分(36，36A)切成两部分；使延伸的栅电极(36，36A)的第一部分与场电板和第二部分(36，36A)电绝缘；以及使场电板(44，44A)和延伸的栅电极(36，36A)的第二部分连接源极(28)以便减小栅极到漏极的电容(301，401)。
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