[发明专利]在等离子室中包围半导体工件的导电挡圈有效
| 申请号： | 02807275.8 | 申请日： | 2002-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN1531739A | 公开（公告）日： | 2004-09-22 |
| 发明（设计）人： | 马绍铭;拉尔夫·H·M·斯特劳贝 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京东方亿思专利代理有限责任公司 | 代理人： | 杜娟;肖善强 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种等离子室装置和方法，具有能够减少或消除来自工件周界上裸露的金属的电弧的处理配套元件。等离子室包括邻近工件的阴极电极。处理配套元件围绕工件周界。处理配套元件包括介电挡板和覆在介电挡板之上的导电挡圈。导电挡圈的电阻率为0.1欧姆－厘米或更小。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子 包围 半导体 工件 导电 | ||
【主权项】：
1.一种在工件上进行半导体制造处理的等离子室，包括：具有面向所述室的内部区域的正面的阴极电极；用于固定工件的工件支撑部件，以便所述工件占据平行并邻近阴极电极正面的工件区；由介电材料构成、围绕工件区周界的挡板；和具有不超过0.1欧姆-厘米的电阻率、围绕所述工件区周界并覆在至少所述介电挡板的一部分之上的导电挡圈。
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