[发明专利]在半导体或电介质晶片上制作的系统级封装有效

专利信息
申请号: 02809044.6 申请日: 2002-04-17
公开(公告)号: CN1505838A 公开(公告)日: 2004-06-16
发明(设计)人: 乔治·L·肖;约翰·哈罗德·麦格莱恩 申请(专利权)人: 国际商业机器公司
主分类号: H01L23/538 分类号: H01L23/538;H01L23/498;H01L21/48;H01L23/14
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王永刚
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种具有导电通路孔的半导体或电介质晶片,在集成电路封装结构中被用作衬底,其中高密度芯片间和芯片内触点和布线被设置在集成电路的衬底表面上,并且通过相对面接触外部的信号和电源电路。采用例如硅的衬底使得能够采用本领域的传统工艺,以提供高布线密度并与集成电路中任意的硅芯片的热膨胀系数一致。采用穿过衬底的通路孔允许在硅衬底上高密度连接,并且提供连接电源层和信号层的短路径。
搜索关键词: 半导体 电介质 晶片 制作 系统 封装
【主权项】:
1.一种集成电路封装,其中包括集成电路元件的器件互连成功能性单元,并且随后连接到电源和信号外部电路,特征在于该集成电路封装包括:由选自半导体和电介质组的材料组成的衬底部件,所述衬底具有第一和第二基本平行面,所述衬底具有位于所述第一和第二基本平行面中所述第一面上的高密度布线,所述衬底具有从所述基本平行面中所述第一面到所述第二面穿过所述衬底的至少一个通路孔部件,包括至少一个所述集成电路部件的至少一个所述器件位于所述衬底的所述第一和第二平行面中所述第一面上,并且之间和之内包括所述至少一个经由所述高密度布线连接的通路孔,以及,至少一个位于所述第一和第二平行面中所述第二面上并连接到至少一个所述通路孔部件的外部密度电路连接。
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