[发明专利]用于高击穿电压半导体器件的高阻碳化硅衬底有效
| 申请号： | 02809392.5 | 申请日： | 2002-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN1507506A | 公开（公告）日： | 2004-06-23 |
| 发明（设计）人： | 史蒂花·穆勒 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;H01L29/24;H01L21/04 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国北*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种高阻碳化硅单晶，它含有至少一种补偿掺杂剂，该掺杂剂的电子能级距碳化硅带隙边缘足够远以免产生导电行为，而且当衬底与掺杂的碳化硅外延层接触时，并且当晶体中存在的掺杂剂净含量足以使费米能级钉扎在掺杂剂电子能级处时，该掺杂剂的电子能级朝着能带边缘距带隙中部足够远，从而比中等能态产生更大的能带差。此碳化硅晶体的室温电阻率至少为5,000Ωcm。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 击穿 电压 半导体器件 碳化硅 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构含有：碳化硅单晶衬底；以及毗邻所述衬底的碳化硅掺杂区；所述衬底含有至少一种补偿掺杂剂，其电子能级离碳化硅带隙边缘足够远以免产生导电行为，当所述衬底与所述掺杂区接触时，并且当所述衬底中存在的所述掺杂剂净含量足以使所述衬底的费米能级钉扎在所述掺杂剂电子能级处时，朝着能带边缘距离带隙中部足够远的能级比中等能级态在所述衬底与所述掺杂区之间产生更大的能带差；以及所述碳化硅衬底室温(298K)下的电阻率至少为5,000Ωcm。
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