[发明专利]高表面质量的GaN晶片及其生产方法有效
| 申请号： | 02811414.0 | 申请日： | 2002-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN1541287A | 公开（公告）日： | 2004-10-27 |
| 发明（设计）人： | 徐学平;罗伯特·P·沃多 | 申请（专利权）人： | 克利公司 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B25/04 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王维玉;薛俊英 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种含有AlxGayInzN的高质量晶片，其中0＜y≤1和x+y+z＝1，其特征在于均方根表面粗糙度在晶片的Ga－侧为在10×10μm2面积上小于1nm。该晶片在所述晶片的Ga－侧用CMP浆料进行化学机械抛光(CMP)，所述的浆料含有研磨颗粒，如二氧化硅或氧化铝，以及酸或碱。制造高质量的AlxGayInzN晶片的方法包括如下步骤：研磨、机械抛光和通过热退火或化学蚀刻减少所述晶片的内应力，以进一步提高其表面质量。所述的CMP工艺在提高AlxGayInzN晶片Ga－侧结晶缺陷的亮度方面非常有用。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 质量 gan 晶片 及其 生产 方法 | ||
【主权项】：
1.一种含AlxGayInzN的晶片，其中0＜y≤1和x+y+z＝1，其特征在于其均方根(RMS)表面粗糙度在晶片的Ga-侧为在10×10μm2面积上小于1nm。
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