[发明专利]具有利用氮气吹扫的顶部通气口的快速循环腔室有效
| 申请号： | 02815473.8 | 申请日： | 2002-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN1539027A | 公开（公告）日： | 2004-10-20 |
| 发明（设计）人： | 海尔伦·I·哈尔希;大卫·E·杰可 | 申请（专利权）人： | 拉姆研究公司 |
| 主分类号： | C23C14/56 | 分类号： | C23C14/56;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种用于在工作在不同压力下的单元之间转移半导体基板的腔室。该腔室包括：底座，其限定一出口，该出口使得可以去除腔室内的大气以产生真空；基板支撑部件，用于支撑腔室内的半导体基板；顶部，其具有一入口，该入口被配置得允许向腔室导入气体以驱除基板支撑部件上方所限定的区域中的湿气；以及多个侧壁，其从底座延伸至顶部，该多个侧壁包括用于半导体基板进、出腔室的多个通道端口。还提供了一种用于对压力变化接口内的半导体基板区域上方的环境进行调节的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 利用 氮气 顶部 通气 快速 循环 | ||
【主权项】：
1.一种用于对压力变化接口内的半导体基板上方所限定的区域中的环境进行调节的方法，该方法包括：通过一通道端口将半导体基板导入压力变化接口中，该压力变化接口处于第一压力下；驱除半导体基板上方所限定的区域中的湿气；将压力变化接口内的压力转变至第二压力；以及传输半导体基板。
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