[发明专利]带有独立的等离子体密度/化学性质和离子能量控制的双频等离子体蚀刻反应器有效

专利信息
申请号: 02815529.7 申请日: 2002-08-08
公开(公告)号: CN1539156A 公开(公告)日: 2004-10-20
发明(设计)人: R·丁德萨;M·斯里尼瓦杉;E·兰茨;李鲁民 申请(专利权)人: 拉姆研究有限公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32
代理公司: 上海专利商标事务所 代理人: 吴明华
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种用于加工工件的真空等离子体腔室,它包括用于与腔室中的气体电气耦合并分别连接至第一和第二、相对较高和较低频率的RF电源的第一和第二电极。该腔室包括处于参考电位的一壁,和一与该壁间隔开的等离子体约束区域。一连接至诸电源和诸电极的滤波器结构使来自第一电源的电流能流至第一电极,并阻止从第一电源流出的电流大量地流至第二电极和第二电源,以及使来自第二电源的电流能流至第一和第二电极,并阻止来自第二电源的电流大量地流至第一电源。
搜索关键词: 带有 独立 等离子体 密度 化学性质 离子 能量 控制 双频 蚀刻 反应器
【主权项】:
1.组合地,一用于加工工件的真空等离子体腔室,该腔室包括用于与腔室中的气体电气耦合并连接至一第一、相对较高频率的RF等离子体激发电源的一激发阻抗元件,和用于承载工件、与腔室中的气体电气耦合并用于连接至一第二、相对较低频率的RF偏压电源的一电极;以及连接至阻抗元件和电极的一滤波器结构,该滤波器结构使第二低频率的电流从电极流至阻抗元件,且基本不耦合至第一、相对较高频率的RF电源,以及,基本阻止从第一、相对较高频率的RF电源流出的第一、相对较高频率的电流流至电极和第二、相对较低频率的RF电源。
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