[发明专利]形成光刻用防反射膜的组合物有效
申请号: | 02816299.4 | 申请日: | 2002-08-13 |
公开(公告)号: | CN1545645A | 公开(公告)日: | 2004-11-10 |
发明(设计)人: | 荒濑慎哉;岸冈高广;水泽贤一 | 申请(专利权)人: | 日产化学工业株式会社 |
主分类号: | G03F7/11 | 分类号: | G03F7/11;C08L33/14 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 段承恩;陈海红 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供防反射效果高,不发生与抗蚀剂层的混合,可得到优异的抗蚀剂图案,与抗蚀剂相比具有大的干蚀刻速度,具有比现有技术更宽的聚焦深度容限和高的分辨率的光刻用防反射膜。具体地,是在制造半导体装置的光刻工艺中使用的含有具有内酯结构的树脂的形成防反射膜的组合物。上述树脂,是在主链或与主链连接的侧链上导入了γ-内酯结构或δ-内酯结构的树脂。 | ||
搜索关键词: | 形成 光刻 反射 组合 | ||
【主权项】:
1.一种在制造半导体装置的光刻工艺中使用的含有具有内酯结构的树脂和交联剂的形成的防反射膜的组合物。
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