[发明专利]电镀铜方法、电镀铜用纯铜阳极以及使用该方法和阳极进行电镀而得到的粒子附着少的半导体晶片有效
| 申请号： | 02817075.X | 申请日： | 2002-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN1549876A | 公开（公告）日： | 2004-11-24 |
| 发明（设计）人： | 相场玲宏;冈部岳夫;关口淳之辅 | 申请（专利权）人： | 株式会社日矿材料 |
| 主分类号： | C25D19/00 | 分类号： | C25D19/00;C25D7/12 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王维玉;丁业平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及电镀铜方法，其特征在于当进行电镀铜时采用纯铜作为阳极，和采用晶粒直径为10μm或更小、或为60μm或更大、或为非再结晶阳极的纯铜阳极进行电镀铜。本发明提供了电镀铜方法和在这种电镀铜方法中使用的电镀铜用纯铜阳极，在进行电镀铜时，使用所述方法能抑制电镀浴内阳极一侧产生粒子如淤渣，能防止粒子附着到半导体晶片上；本发明还涉及使用上述方法和阳极进行电镀而得到的粒子附着少的半导体晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 镀铜 方法 用纯铜 阳极 以及 使用 进行 电镀 得到 粒子 附着 半导体 晶片 | ||
【主权项】：
1.一种电镀铜方法，其特征在于当进行电镀铜时采用纯铜作为阳极，和使用晶粒直径为10μm或更小、或60μm或更大、或为非再结晶阳极的所述纯铜阳极进行电镀铜。
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