[发明专利]可控制等离子体容积的蚀刻室有效
| 申请号： | 02817096.2 | 申请日： | 2002-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN1550027A | 公开（公告）日： | 2004-11-24 |
| 发明（设计）人： | B·M·殷;T·倪;L·李;D·赫姆克 | 申请（专利权）人： | 兰姆研究有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 肖春京 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子体处理室。该等离子体处理室包括：一下部电极(144)，其配置成支撑一衬底(146)；一上部电极(142)，位于下部电极的上方。该等离子体处理室还包括：一等离子体限制组件(173)，其设计成在关闭方位与开启方位之间转变。在关闭方位时，该等离子体限制组件在处理中限定出等离子体的第一容积，在开启方位时，该等离子体限制组件在处理中限定出等离子体的第二容积，该第二容积大于该第一容积。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 等离子体 容积 蚀刻 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理室，包括：一下部电极，用于支撑一用于处理的衬底；一上部电极，位于该下部电极的上方；及一等离子体限制组件，设计成用以在关闭方位及开启方位之间转变，该关闭方位限定出处理期间等离子体的第一容积，该开启方位限定出处理期间等离子体的第二容积，其中该第一容积小于第二容积。
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