[发明专利]光学元件及其制作方法以及光刻设备和半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 02819611.2 | 申请日： | 2002-10-02 |
| 公开（公告）号： | CN1565035A | 公开（公告）日： | 2005-01-12 |
| 发明（设计）人： | 安德烈·E·雅克辛;埃里克·路易斯;弗雷德里克·比约克;马可·维多斯克;罗曼·克莱因;弗兰克·斯戴特兹 | 申请（专利权）人： | 卡尔赛斯半导体制造技术股份公司 |
| 主分类号： | G21K1/06 | 分类号： | G21K1/06;G02B1/10 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 为了减少在衬底上包含多层系统的光学元件的沾污，提出了将多层系统的至少一个层的层材料和/或层厚度选择成使在辐照的工作波长的反射过程中形成的驻波在多层系统的自由界面区域中形成电场强度的节点(节点条件)。而且，描述了用来确定多层系统的设计的方法以及制造工艺和光刻设备。 | ||
| 搜索关键词： | 光学 元件 及其 制作方法 以及 光刻 设备 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光学元件，特别是一种平面镜或掩模，它包含衬底(1)和光学多层系统(3)，对于规定的工作波长，确切地说是对于EUV波长范围内的规定工作波长，此光学多层系统的反射率被最大化，其特征在于多层系统(3)的至少一个层(11)的层材料和/或层厚度被选择成使辐照工作波长的反射过程中形成的驻波(4)在多层系统(3)的自由界面(100)区域中形成电场强度的节点(5)(节点条件)。
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