[发明专利]加速确定半导体布线的电迁移特性的方法和装置无效
| 申请号： | 02820276.7 | 申请日： | 2002-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN1568430A | 公开（公告）日： | 2005-01-19 |
| 发明（设计）人： | 小罗纳德·G·菲利皮;阿尔文·W·斯特朗;蒂莫西·D·沙利文;德博拉·泰比尔;迈克尔·鲁普里奇特;卡罗尔·格雷斯 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司;因菲尼奥恩技术北美公司 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邸万奎;黄小临 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于确定布线结构的电迁移特性的方法，最好包括使用定义的测试结构(100，200)。该测试结构包括安排于半导体衬底(102)的主平面中的第一线路布线(104)和通过通路(108)与该第一线路相连的第二布线线路(104)。确定该第一线路和该通路的阻抗导热系数，并将晶片级应力条件引入(16)该测试结构中。为该第一测试结构确定的至少一个参数值用于预知该集成电路器件中布线结构的寿命预测(18)。 | ||
| 搜索关键词： | 加速 确定 半导体 布线 迁移 特性 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于确定集成电路器件中布线结构的电迁移特性的测试装置，该装置包括：第一线路布线(104)，安排于半导体衬底(102)的主平面中；与所述第一线路布线相连的第二线路布线(106)，所述第二线路布线安排在与所述主平面基本平行的次平面中；和热沉结构(120)，位于所述第一线路布线附近，所述热沉结构能够消散与电流通过所述第一线路布线相关的热量。
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