[发明专利]使用上部层图形提供对晶片承载的半导体器件的电流控制

摘要

这里公开的是用于为具有衬底(1240)、至少一个有源层(1240)和至少一个表面层(1240)的半导体晶片(1240)提供晶片寄生电流控制的方法。电流控制可以由围绕接触件(1215)形成的图形(1240)来实现，所述图形(1240)包括形成在由所述接触件(1215)表示的有源器件之间的绝缘注入物和/或牺牲层。电流流过与所述接触件(1215)和有源器件相关的有源区域(1260)。还公开了用于半导体器件的晶片级老化(WLBI)的方法和系统。当使用WLBI方法和系统时，晶片级的电流控制是重要的。

主权项

1.一种用于在由半导体晶片承载的电子器件上提供晶片电流控制的方法，其包括的步骤为：提供具有多个导电区域(1260)的半导体晶片(1200)，每个导电区域连接有衬底(1220)、至少一个有源层(1265)、形成在所述至少一个有源层(1265)上的表面层(1210)，以及至少一个与所述多个导电区域(1260)相连的接触件(1215)，以及围绕所述至少一个接触件(1215)在所述表面层(1210)上形成图形(1240)，其中，所述图形(1240)提供对流向由所述半导体晶片(1200)承载且与所述至少一个接触件(1215)相连的电子器件的电流的控制，其中，电流流过导电区域(1265)，该导电区域(1265)限定为电流在所述至少一个接触件(1215)之间通过所述至少一个有源层(1265)，朝着所述衬底(1220)到达共同的接触件(1205)的流动区域，其中，当电压施加到所述至少一个接触件(1215)和所述共同接触件(1205)时，电流流动，其中，电流被引导离开在所述图形(1240)以下限定的不导电的区域(1250)。