[发明专利]用磁跟踪在含烃地层形成孔洞有效
| 申请号： | 02821105.7 | 申请日： | 2002-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN1575377A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | 哈罗德·J·维内加;罗宾·A·哈特曼;克里斯托弗·A·普拉特;克里斯托弗·K·哈里斯;戈登·B·莱珀 | 申请（专利权）人： | 国际壳牌研究有限公司 |
| 主分类号： | E21B47/022 | 分类号： | E21B47/022;E21B47/09;G01V3/26;E21B43/30 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 朱德强 |
| 地址： | 荷兰*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 描述了一种用来在一含烃地层中形成孔的方法。沿第一孔的一部分设置多个磁铁。采用系列磁场的磁跟踪形成地层中的第二孔。第二孔可与第一孔相隔一预定的距离。 | ||
| 搜索关键词： | 跟踪 地层 形成 孔洞 | ||
【主权项】：
1.一种用来在一含烃地层形成一个或一个以上孔的方法，包括：在地层中形成或设置一第一孔；将多块磁铁置入第一孔，其中多个磁铁系沿第一孔的至少一部分设置，且其中多个磁铁沿第一孔的至少该部分产生一系列磁场；又用该系列磁场的磁跟踪在地层中形成第二孔，使得第二孔与第一孔相隔一预定的距离。
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