[发明专利]具有凸起桥的集成电路器件及其制造方法无效
| 申请号： | 02821720.9 | 申请日： | 2002-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN1579018A | 公开（公告）日： | 2005-02-09 |
| 发明（设计）人： | J·C·雷纳;E·滋特卡;J·索洛德扎迪瓦尔 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L23/522;H01L21/60;H01L23/60 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;梁永 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种集成电路器件(20)，包括：硅衬底(21)，具有接触(23.1，23.2)的集成器件(22)，隔离层(24)，至少部分地覆盖集成器件(22)并且包括建立了到集成器件(22)的接触(23.1，23.2)的导电路径的导电区(24.1，24.2)。具有金属线(26.1，26.2，26.3，26.4)的金属化级(25)提供了到至少一个接触(23.2)的电连接。金属线(26.1，26.2，26.3，26.4)位于隔离层(24)上。位于金属化级(25)上的钝化层(27)，包括至少两个接触区(28.1，28.2)，用于部分地露出至少两个金属线(26.2，26.4)。凸起桥(29)包括导电的低阻材料，位于钝化层(27)上。凸起桥(29)具有高的高宽比并提供了至少两个金属线(26.2，26.4)之间的导电连接。它跨越位于金属化级(25)内的另一金属线(26.3)，同时没有接触该金属线(26.3)，凸起桥(29)的大部分由钝化层(27)支撑。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 凸起 集成电路 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路器件(20)，包括：硅衬底(21)，具有接触(23.1，23.2)的集成器件(22)，隔离层(24)，其至少部分地覆盖集成器件(22)并且包括建立了到集成器件(22)的接触(23.1，23.2)的导电路径的导电区(24.1，24.2)，具有金属线(26.1，26.2，26.3，26.4)的金属化级(25)，提供了到接触(23.2)中的至少一个的电连接，金属线(26.1，26.2，26.3，26.4)位于隔离层(24)之上，位于金属化级(25)之上的钝化层(27)，其包括至少两个接触区(28.1，28.2)，用于部分地露出金属线(26.2，26.4)中的至少两个，其中包括导电的低阻材料的凸起桥(29)，位于钝化层(27)上，凸起桥(29)提供金属线(26.2，26.4)中的至少两个之间的导电连接，凸起桥(29)跨越位于金属化级(25)内的另一金属线(26.3)，同时没有接触该金属线(26.3)，凸起桥(29)具有高的高宽比，允许封装之后凸起桥(29)连接到衬底(16)；以及凸起桥(29)的大部分由钝化层(27)支撑。
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