[发明专利]确定层厚度的方法和系统无效
申请号: | 02823481.2 | 申请日: | 2002-10-03 |
公开(公告)号: | CN1759297A | 公开(公告)日: | 2006-04-12 |
发明(设计)人: | 拉里·弗利萨;卡尔·莫兹 | 申请(专利权)人: | 自由度半导体公司 |
主分类号: | G01B11/06 | 分类号: | G01B11/06 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王永刚 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及一种确定至少一个半导体晶片(12)上的至少一层的厚度的方法,该方法包括以下步骤:在至少一层(10)的表面(16)上投射第一激光脉冲(14),从而由于对至少一层(10)的表面的加热而产生声波;在声波的传播时间之后,在至少一层(10)的表面(16)上投射一组第二激光脉冲(18);测量第二激光脉冲(18)的被反射激光脉冲(20),从而检测至少一层(10)的表面(16)的反射特性改变时间;和通过分析反射特性改变的时间确定至少一层(10)的厚度。本发明还涉及一种确定半导体晶片(12)上层(10)的厚度的系统。 | ||
搜索关键词: | 确定 厚度 方法 系统 | ||
【主权项】:
1.一种确定至少一个半导体晶片上的至少一层的厚度的方法,该方法包括以下步骤:在所述至少一层的表面上投射第一激光脉冲,从而由于对所述至少一层的表面的加热而产生声波,在声波的传播时间之后,在所述至少一层的表面上投射一组第二激光脉冲,测量第二激光脉冲的被反射激光脉冲,从而检测所述至少一层的表面反射特性改变时间,和通过分析反射特性改变的时间确定所述至少一层的厚度。
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