[发明专利]用于在测试低压非易失性存储器时提高编程速度的双模式高压电源无效
申请号: | 02826731.1 | 申请日: | 2002-08-21 |
公开(公告)号: | CN1613119A | 公开(公告)日: | 2005-05-04 |
发明(设计)人: | 埃米尔·兰布朗克;乔治·斯马兰杜 | 申请(专利权)人: | 爱特梅尔股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/04 | 分类号: | G11C16/04 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 李家麟 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种双模式高压电源电路,它使用通过一内高压开关(30)连接的一高压(VPP),此高压开关(30)决定一非易失性存储器电路(46)的存储器块是用内部高压电荷泵(20)以第一模式进行编程还是用与内部高压电荷泵平行连接的一外部高压电源,同时以第二模式进行编程。当双模式高压电源电路只用其内部电荷泵高压(VPP)以第一模式运行时,它运行于一低功率、慢速模式,一次只能对一位或两位进行编程,但允许该泵的面积在硅片上只占据较小的面积。当运行于第二模式时,即可以使用外部电源高压时,一次可以同时写入八位或八位以上,从而允许进行快速编程而用不着增加内部电荷泵的尺寸或面积,从而消除了电路要增加空间以及为了增加硅片的面积而要增加的制造成本。 | ||
搜索关键词: | 用于 测试 低压 非易失性存储器 提高 编程 速度 双模 高压电源 | ||
【主权项】:
1.一种双模式高压电源电路,能用于在测试低电压非易失性存储器时为编程提供较高的编程速度,该电路包括:一电荷泵,该泵在一输入端接受外电源低电压(VDD)并在一输出端产生一编程高电压VM,该电荷泵具有一时钟输入端以接受一定时信号;一外部高电压开关,此开关具有一第一输入端第二输入端、一输出端、以及多个启动输入,所述外高压开关在其第一输入端接受一外电源高电压(VPP),在第二输入端接受一外电源低电压(VDD)并在输出端产生一编程高电压(VM),所述输出端在一共同的节点连接于电荷泵的输出端,该外电压开关由一加到诸启动输入端的第一个输入端上的一快速编程启动信号所启动及释放;多个非易失性存储器块,每一存储器块连接到具有一连接到共同编程节点的编程输入端以接受编程电压,并且每一存储器块开关具有一用以接受一信号以启动或释放存储器块开关的控制输入端,每一非易失性存储器块当其各自的存储器块开关被启动时,用编程电压进行编程;一编程控制电路,它具有一用于接受快速编程启动信号的输入端及多个连接于存储器开关的控制输入端的输出端;以及用于为电荷泵产生定时信号的装置,从而,该双模式高压电源电路当外部高压开关被释放时运行于第一编程模式,而当外高压开关被启动时运行于第二编程模式。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱特梅尔股份有限公司,未经爱特梅尔股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/02826731.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:热移除装置及其制造方法
- 下一篇:试验片分析装置