[发明专利]等离子体加工装置和处理装置

摘要

通过提高微波的传播效率，得到能扩宽可形成等离子体加工条件范围的等离子体加工装置和处理装置。等离子体加工装置是具有用等离子体进行处理的处理室(1，2)和将微波导入处理室的微波导入单元(3a～6a，3b～6b，19a，19b)的等离子体加工装置，微波导入单元(3a～6a，3b～6b，19a，19b)包括使微波透过的电介质构件(5a，5b，19a，19b)。与微波透过的电介质构件的透过方向大致垂直方向上的电介质构件的断面形状，是可使大致单一模式的微波透过的形状。在设透过电介质构件的单一模式的微波的波长为λ，任意整数为m时，透过方向上的电介质构件的厚度T，满足(λ×(2m+0.7)/4)≤T≤(λ×(2m+1.3)/4)这样的条件。

主权项

1.一种等离子体加工装置，具有使用等离子体进行处理的处理室(1，2)和向上述处理室(1，2)导入使已被供给到上述处理室(1，2)的反应气体变成等离子体状态所用的微波的微波导入单元(3a～6a，3b～6b，19a，19b)，其特征在于：上述微波导入单元(3a～6a，3b～6b，19a，19b)包括使上述微波透过的电介质构件(5a，5b，19a，19b)，在与上述微波透过上述电介质构件(5a，5b，19a，19b)的透过方向大致垂直的方向上的上述电介质构件(5a，5b，19a，19b)的断面形状，是可以使大致单一模式的上述微波透过的形状，当设透过上述电介质构件(5a，5b，19a，19b)的上述单一模式的微波的波长为λ、任意整数为m时，上述透过方向上的上述电介质构件(5a，5b，19a，19b)的厚度T满足(λ×(2m+0.7)/4)≤T≤(λ×(2m+1.3)/4))这样的条件。