[发明专利]改进的BEOL互连结构中的双层HDPCVD/PE CVD帽层及其方法有效
| 申请号： | 02827172.6 | 申请日： | 2002-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN1672250A | 公开（公告）日： | 2005-09-21 |
| 发明（设计）人： | 陈自强;布雷特·H·恩格尔;约翰·A·菲茨西蒙斯;特伦斯·凯恩;内夫塔利·E·勒斯蒂格;安·麦克唐纳;文森特·麦加海;徐顺天;安东尼·K·斯坦珀;王允愈;厄尔德姆·卡尔塔利奥格鲁 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司;因菲尼奥恩技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/44 | 分类号： | H01L21/44;H01L23/48;H01L23/52;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种改进的后端连线(BEOL)金属化结构。该结构包括双层扩散阻挡层或帽层，其中优选用高密度等离子体化学汽相淀积(HDP CVD)工艺淀积的介电材料形成第一帽层(116，123)，并且优选用等离子体增强化学汽相淀积(PE CVD)工艺淀积的介电材料形成第二帽层(117，124)。还公开了一种用于形成BEOL金属化结构的方法。本发明特别有利于含有用于层间介电(ILD)的低－k介电材料和用于导体的铜的互连结构。 | ||
| 搜索关键词： | 改进 beol 互连 结构 中的 双层 hdpcvd pe cvd 及其 方法 | ||
【主权项】：
1、一种形成在衬底(110)上的互连结构，该结构包括：一覆盖在衬底(110)上面的介电层(112，119)；一在所述介电层(112，119)上的硬掩模层(113，120)，所述硬掩模层(113，120)具有一顶部表面；镶嵌在所述介电层(112，119)中并且具有与所述硬掩模层(113，120)的顶部表面共面的顶表面的至少一个导体(115，122)；在所述至少一个导体(115，122)上和所述硬掩模层(113，120)上的一第一帽层(116，123)；以及在所述第一帽层(116，123)上的至少一第二帽层(117，124)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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