[发明专利]为减少晶粒的剪应力而控制晶粒固定用嵌角的方法与装置有效
申请号: | 02827273.0 | 申请日: | 2002-12-17 |
公开(公告)号: | CN1615545A | 公开(公告)日: | 2005-05-11 |
发明(设计)人: | R·A·纽曼;J·D·韦德勒 | 申请(专利权)人: | 先进微装置公司 |
主分类号: | H01L23/12 | 分类号: | H01L23/12;H01L21/58;H01L23/495;H01L21/56 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 戈泊;程伟 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明系藉由控制黏晶圆角(30)高度(Z),以避免在一封装的半导体芯片中,造成破裂及脱层的方法与装置。具体地说,本发明藉由控制该黏晶材料(20)的高度,而控制该黏晶圆角(die attach fillet)(30)高度(Z),进而减少在晶粒(5)本身的剪应力。本发明的优点包括,在不需对现存产品进行重新评估的情况下,可增加焊接导线可靠度及封装可靠度。藉由结合本发明的技术,并使用现行合格的封装材料及黏晶环氧树脂,可控制黏晶环氧树脂高度,进而控制黏晶圆角(30)高度(Z),使该整体组装过程得以维持。所以,无论热效率或电效率都未因此而牺牲。 | ||
搜索关键词: | 减少 晶粒 剪应力 控制 固定 用嵌角 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种减少剪应力的封装半导体芯片,其特征包括:一半导体芯片封装基底(10),其中布设有一半导体芯片并具有一黏晶区域;一晶粒(5),具有至少一侧边,该晶粒(5)包括有选自硅(Si)、锗(Ge)及砷化镓(GaAs)所构成群组的半导体材料,且每一该至少一侧边具有一厚度(Y)及一宽度(X);以及一份量受控制的黏晶材料(20),其布设于该晶粒(5)及该半导体芯片封装基底(10)之间;至少一部份的该黏晶材料(20)形成至少一半弯月面于该晶粒(5)的至少一侧边上,该至少一弯月面于该黏晶材料的硬化过程中形成至少一黏晶圆角(30),该至少一黏晶圆角具有至少一控制高度,且该晶粒具有较少的剪应力。
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