[发明专利]具有伸入较深的以沟槽为基础的源电极的以沟槽为基础的交叉栅电极的垂直MOSFET及其制造方法无效
| 申请号： | 02827542.X | 申请日： | 2002-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN1695251A | 公开（公告）日： | 2005-11-09 |
| 发明（设计）人： | B·J·巴利加 | 申请（专利权）人： | 硅半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/423 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 肖春京;黄力行 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 垂直MOSFET包括一个半导体衬底，其中有一些半导体台面，它们被许多深条形沟槽分开。这些条形沟槽沿纵向沿第一方向平行伸过衬底。在这些深条形沟槽内形成一些埋入式绝缘源电极。还提供一些绝缘栅电极，它们平行伸过那些半导体台面并伸入在这些埋入式绝缘源电极内的浅沟槽中。在衬底上做了一个表面源电极。此表面源电极在沿每个埋入式绝缘源电极长度上的多个位置处与每个埋入式绝缘源电极电气连接，这些多处连接降低了有效的源电极电阻并增大了器件的开关速度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 伸入较深 沟槽 基础 电极 交叉 垂直 mosfet 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种垂直MOSFET，包括：半导体衬底，其中有一些半导体台面由一些深条形沟槽隔开，这些沟槽沿纵向按第一方向平行伸过该衬底；一些处在条形沟槽内的埋入式绝缘源电极；及一些绝缘栅电极，平行伸过那些半导体台面以及形成在所述埋入式绝缘源电极内的浅沟槽。
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