[发明专利]用于溅射和再溅射的自离子化和电感耦合的等离子体无效
| 申请号： | 02828203.5 | 申请日： | 2002-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN1620712A | 公开（公告）日： | 2005-05-25 |
| 发明（设计）人： | P·丁;Z·徐;R·C·莫塞利;S·伦加拉詹;N·迈蒂;D·A·卡尔;B·秦;P·F·史密斯;D·安杰洛;A·托利亚;J·傅;F·陈;P·戈帕拉贾;X·唐;J·C·福斯特 | 申请（专利权）人： | 应用材料有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/34 | 分类号： | H01J37/34;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种磁控管溅射反应器及其使用方法，该反应器用于溅射沉积诸如例如钽、氮化钽和铜的材料，其中自离子化等离子体(SIP)溅射和电感耦合等离子体(ICP)溅射，两者一起或两者之一，在同一室中被促进。此外，通过ICP再溅射可减薄或消除底部覆盖。通过具有不均匀磁强度磁极的小磁控管和在溅射期间施加到靶的高功率来促进SIP。通过一个或多个将RF能量电感耦合进等离子体中的RF线圈来提供ICP。组合的SIP－ICP层可以充当用于孔的衬套或阻挡或籽晶或成核层。另外，可以溅射RF线圈以在ICP再溅射期间提供保护材料。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 溅射 离子化 电感 耦合 等离子体 | ||
【主权项】：
1.一种在具有靶的室中将沉积材料溅射沉积在基底上的方法，包括：在靶的背面附近旋转磁控管，所述磁控管具有不大于1/4靶面积的面积并包括一种磁极性的内部磁极，该内部磁极由相反磁极性的外部磁极包围，所述外部磁极的磁通量比所述内部磁极的磁通量至少大50％以产生相邻于所述靶的自离子化等离子体；向所述靶施加功率，从而将材料从所述靶溅射到所述基底上，其中至少有一部分溅射材料在所述自离子化等离子体中被离子化；并且向线圈施加RF功率以电感耦合RF能量，以产生相邻于所述基底的电感耦合等离子体。
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