[发明专利]对于可编程器件使用原子层沉积无效
| 申请号： | 02829486.6 | 申请日： | 2002-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN1650443A | 公开（公告）日： | 2005-08-03 |
| 发明（设计）人： | T·A·劳里;C·H·丹尼森 | 申请（专利权）人： | 奥翁尼克斯公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正;梁永 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一方面，提供一种设置和重新编程可编程器件状态的设备。一方面，提供一种方法，使得通过暴露触点(170)的电介质(210)形成开口(220)，所述触点(170)形成在衬底(100)上。使用原子层沉积(ALD)，在电介质(210)的壁上共形地沉积电极(230)。在电极(230)上形成可编程材料(404)，并且形成到可编程材料(404)的导体(410)。一方面，在电极(230)和可编程材料(404)之间使用ALD来共形地沉积阻挡(408)。 | ||
| 搜索关键词： | 对于 可编程 器件 使用 原子 沉积 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：在触点上形成电介质，所述触点形成在衬底上；通过暴露所述触点的所述电介质来形成开口；使用原子层沉积(ALD)在所述电介质的壁上共形地沉积电极；在所述电极上形成可编程材料；以及形成到所述可编程材料的导体。
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