[发明专利]膜厚度测量设备与膜厚度测量方法无效

专利信息
申请号: 03101481.X 申请日: 2003-01-17
公开(公告)号: CN1432791A 公开(公告)日: 2003-07-30
发明(设计)人: 山田惠三;板垣洋辅;牛木健雄 申请(专利权)人: 恩益禧电子股份有限公司
主分类号: G01B15/02 分类号: G01B15/02
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 张天舒,关兆辉
地址: 暂无信息 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种测量薄膜厚度的设备,它使第一能量和第二能量的电子束轰击形成在硅衬底上的待测量薄膜,并测量在第一能量的电子束轰击衬底时,在衬底内流动的电流的第一衬底电流值和在第二能量的电子束轰击衬底时,在衬底内流动的电流的第二衬底电流值。该薄膜测量设备获得表示膜厚度与作为变量的基准函数之间关系的基准数据,该基准函数具有在第一能量的电子束轰击标准采样时的衬底电流和第二能量的电子束轰击标准采样时的衬底电流,该薄膜测量设备还考虑基准数据,根据第一和第二衬底电流值计算在测薄膜的厚度。
搜索关键词: 厚度 测量 设备 测量方法
【主权项】:
1.一种用于测量膜厚度的方法,它利用当电子束照射形成在衬底上的待测量膜时,在所述衬底内流动的电流的衬底电流值来测量形成在所述衬底上的膜的厚度,其中具有第一能量的第一电子束和具有不同于所述第一能量的第二能量的第二电子束分别照射其材料与形成在所述衬底上、事先已知特定厚度的待测量所述膜的材料相同或接近的膜标准采样,以分别检测第一标准衬底电流值和第二标准衬底电流值,从而获得表示所述衬底电流值与所述膜标准采样的所述厚度之间的相关关系的基准数据;并且其中所述第一和第二电子束分别照射形成在所述衬底上的待测量膜,以分别检测第一测试衬底电流值和第二测试衬底电流值;并且其中采用规定的计算方式,对所述第一和所述第二测试衬底电流值以及所述基准数据进行处理,计算所述待测量膜的厚度。
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