[发明专利]多层高深宽比硅台阶深刻蚀方法无效
| 申请号： | 03104780.7 | 申请日： | 2003-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN1438544A | 公开（公告）日： | 2003-08-27 |
| 发明（设计）人： | 张大成;李婷;邓珂;田大宇;李静;王玮;王兆江;王阳元 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16;G03F7/20;G03F7/26;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京华一君联专利事务所 | 代理人： | 余长江 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种多层高深宽比硅台阶深刻蚀方法。在深刻蚀之前就将各次深刻蚀掩膜制备完成，每进行一次深刻蚀后去掉一层掩膜再进行下一次深刻蚀的多层深台阶刻蚀。不仅能够在硅片表面(X－Y二维平面)内做出不同的图形结构，在垂直于硅片表面的(Z轴)方向也能够实现可控的折线加工。是一种微硅结构的三维加工技术。突破了以往深刻蚀只能刻出垂直侧壁深槽的限制，实现垂直方向上的多层台阶结构。这项新技术将硅微机械结构加工从简单的平面图形立体化延伸推向了真正的三维立体化，为MEMS技术的发展提供了一种全新的加工手段。与现有的硅工艺完全兼容。可广泛应用于微电子机械技术领域。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 高深 台阶 深刻 方法 | ||
【主权项】：
1、一种多层高深宽比硅台阶深刻蚀方法，其步骤包括：1)制备多层掩膜材料：1-1)第一层掩膜材料制备，第一层掩膜图形光刻、腐蚀；1-2)第二层掩膜材料制备，第二层掩膜图形光刻、腐蚀；……1-n)第n层掩膜材料制备，第n层掩膜图形光刻、腐蚀；2)多次深刻蚀：2-1)第一次硅深刻蚀、第n层掩膜材料去除；2-2)第二次硅深刻蚀，第n-1层掩膜材料去除；……；2-n)第n次硅深刻蚀，第一层掩膜材料去除。
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