[发明专利]活化P－型半导体层的方法无效
| 申请号： | 03106368.3 | 申请日： | 2003-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN1525576A | 公开（公告）日： | 2004-09-01 |
| 发明（设计）人： | 吴伯仁;易乃冠;张源孝 | 申请（专利权）人： | 洲磊科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陈肖梅;文琦 |
| 地址： | 台湾省桃园县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种活化P－型半导体层的方法，主要是利用一电浆来活化P－型半导体层中的掺质，上述电浆的气体源至少包含一含有第VI族元素的气体，使用根据本发明的电浆来活化的P－型半导体层可以发挥与现有技术中使用热效应来活化的P－型半导体层相似的效能，故本发明可以对于P－型半导体层提供一种除了热效应的外的活化方法，此外，在使用一电浆来活化P－型半导体层的过程中，在半导体结构中的其它部分并不会受上述电浆影响而发生副反应，换言之，本发明的方法在活化P－型半导体层的过程中，不会对半导体结构的其它部分产生不必要的影响，因此，提供了一种可以电浆取代热效应的活化方法。 | ||
| 搜索关键词： | 活化 半导体 方法 | ||
【主权项】：
1.一种活化P-型半导体层的方法，其中该P-型半导体层为一半导体结构中的一半导体层，其特征在于，该活化P-型半导体层的方法包含：提供一底材；形成该半导体层于该底材上；及使用一电浆来作用于该半导体层。
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