[发明专利]沟槽形栅极的MIS器件的结构和制造方法

摘要

在一种沟槽栅极型MIS器件中，在沟槽中形成与栅极的接触，从而消除了使栅极材料，通常为多晶硅，延伸至沟槽外的需要。这避免了沟槽上角的应力问题。栅极金属与多晶硅之间的接触通常在位于器件的有源区之外的栅极金属区中形成。描述了各种用于形成栅极金属与多晶硅之间的接触配置，包括其中沟槽在接触区中展宽的实施例。由于多晶硅回刻蚀至比整个器件的硅的表面低，通常不再需要多晶硅掩模，从而节省了制造成本。

主权项

1.一种沟槽栅极型MIS器件，形成在一半导体芯片中，其包括：一有源区，包含晶体管单元；一栅极金属区，不包含晶体管单元；以及一栅极金属层，其中，在该半导体芯片的表面的图案中形成沟槽，该沟槽从该有源区延伸至该栅极金属区中，该沟槽具有以一种绝缘材料层为衬里的壁，在该沟槽中设置一种导电栅极材料，该栅极材料的顶面处于比该半导体芯片的顶面低的水平，一非导体层位于该有源区和栅极金属区上，在位于该栅极金属区中的沟槽的一部分上的该非导体层中形成孔，该孔被填充以一种栅极金属，使得该栅极金属在沟槽中与接触区中的该导电栅极材料接触。