[发明专利]对准方法、对准基底,光刻装置和器件制造方法无效
申请号: | 03110779.6 | 申请日: | 2003-02-27 |
公开(公告)号: | CN1442757A | 公开(公告)日: | 2003-09-17 |
发明(设计)人: | J·洛夫;H·W·M·范比尔;桂成群;F·G·C·比宁 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G03F9/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 黄力行 |
地址: | 荷兰维尔*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 使用一种相对侧上具有参考标记的透明校准基底对前后对准系统进行校准。插入一平板,使对准系统的焦点位置从校准基上表面移动到下表面。 | ||
搜索关键词: | 对准 方法 基底 光刻 装置 器件 制造 | ||
【主权项】:
1一种对准系统的校准方法,该对准系统能够使基底相对侧上的对准标记对准,其直接将辐射对准光束导向至一侧,并通过一附加光学系统将所述对准光束导向至另一侧,该方法包括以下步骤:提供一具有第一和第二相对表面并且对于所述对准光束辐射来说透明的校准基底,所述校准基底在其第一表面上具有一参考标记,所述参考标记可以从第一和第二表面检测到;用导向至所述第一表面上的所述对准光束对所述参考标记进行第一次对准;用导向至所述第二表面上的所述对准光束对所述参考标记进行第二次对准,并使其通过所述校准基底到所述第一表面,同时将一平板插入到对准光束中,使所述对准系统的焦点位置移动到所述第一标记的位置处;其中第一次和第二次对准可以按任意次序进行。
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