[发明专利]溶胶－凝胶法制氮化镓纳米多晶薄膜无效
| 申请号： | 03110867.9 | 申请日： | 2003-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN1517448A | 公开（公告）日： | 2004-08-04 |
| 发明（设计）人： | 张继森;秦伟平;赵丹;秦冠仕;吴长锋;林海燕;刘晃清 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | C23C20/08 | 分类号： | C23C20/08;H01L21/20;H01L21/36;B05D1/00 |
| 代理公司： | 长春科宇专利代理有限责任公司 | 代理人： | 李恩庆 |
| 地址： | 130022吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明属于光电子材料技术领域，是一种用溶胶－凝胶法制氮化镓纳米薄膜。本发明利用第三主族元素的两性现象，用强碱，像NaOH，或KOH等，把GaO溶解。再利用酸，像HNO3，HF等，重新沉积出Ga(OH)3凝胶，然后加入NH4F形成了GaN材料的前驱体。将稀土或过渡金属离子掺入前驱体(NH4)3GaF6中。为利用甩胶技术或印刷方法制膜，再加入一些高分子增稠剂，如聚乙二醇400、聚氧乙烯等，以保证前驱体溶液的粘度。最后把形成的GaN材料的前驱体在烘箱中烘干后，在NH3气氛下，900℃就能够获得纳米级的GaN。本发明与分子束外延和有机分子气相外延制备GaN晶体和薄膜材料相比，具有工艺过程简单、制备成本低等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 溶胶 凝胶 法制 氮化 纳米 多晶 薄膜 | ||
【主权项】：
1、一种溶胶-凝胶法制备氮化镓纳米多晶薄膜，其特征是(1)用强碱把Ga2O3溶解，化学反应方程式为：；(2)用酸沉积出Ga(OH)3凝胶，然后加入NH4F形成了GaN材料的前驱体，化学反应方程式：；(3)最后把形成的GaN的前驱体胶体溶液均匀涂在玻璃或硅或蓝宝石或红宝石的基片上，在烘箱中烘干，在NH3气氛下，900℃保持1-3小时，获得GaN纳米多晶薄膜，化学反应方程式：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C20-00 通过固态覆层化合物抑或覆层形成化合物悬浮液分解且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C20-02 .镀金属材料
C23C20-06 .镀金属材料以外的无机材料
C23C20-08 ..镀化合物、混合物或固溶体，例如硼化物、碳化物、氮化物
C23C20-04 ..镀金属
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