[发明专利]应用于MOS场效应管的栅电介质材料铝酸锆薄膜及其制法无效
| 申请号： | 03113461.0 | 申请日： | 2003-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN1450660A | 公开（公告）日： | 2003-10-22 |
| 发明（设计）人： | 刘治国;朱俊 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/283;H01L21/314 |
| 代理公司： | 南京苏高专利事务所 | 代理人： | 阙如生 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种应用于金属－氧化物－半导体场效应管的高介电系数栅电介质材料铝酸锆及其薄膜的制备方法。本发明的技术方案是利用脉冲激光沉积技术，在1250℃温度下，把氧化锆和氧化铝粉末经球磨混和后，再冷压成型成圆片然后烧结达6小时得铝酸锆陶瓷靶材；在氧气氛的生长室中进而制得铝酸锆薄膜。该发明提供的铝酸锆薄膜具有高的热力学稳定性，并具有较高介电系数和低漏电流。该材料的性能指标已经达到国际上同行得到的高介电系数栅电介质材料研究所达到的较高水平，同时也可满足功耗要求不高的半导体中场效管的实际应用要求。 | ||
| 搜索关键词： | 应用于 mos 场效应 电介质 材料 铝酸锆 薄膜 及其 制法 | ||
【主权项】：
1、一种应用于金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管的高介电系数栅电介质材料铝酸锆薄膜，其特征在于在氧气氛中，用脉冲激光剥离铝酸锆(ZrAlO3)陶瓷靶，在硅衬底上沉积而制成铝酸锆(ZrAlO3)非晶薄膜，该薄膜的介电系数为16.8，等效氧化物厚度小于2nm，在1伏电压下，其漏电流小于10mA/cm2。
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