[发明专利]熔体法生长的碲镉汞材料中的复合缺陷消除方法

摘要

本发明公开了一种熔体法生长的碲镉汞材料中的复合缺陷消除方法，特别是指用于长波光导型碲镉汞探测器晶体材料中的复合缺陷消除方法。该方法的特征是：在传统的n型热处理工艺之前插入使复合缺陷离解并不让其再产生的高温热处理过程。本发明的最大优点在于对仪器设备没作任何改变，只是在工艺上作了变动，却获得很好的效果，完全符合光导型探测器所要求的电子浓度。

主权项

1.一种熔体法生长的碲镉汞材料中的复合缺陷消除方法，包括料管清洗烘烤，排气封管，热处理，其步骤为：a.将玻璃管和石英舟用洗洁精清洗并用水冲净后在铬酸中浸泡4小时，用去离子水冲洗15次，烘干待用；b.将研磨过的晶片用丙酮、去离子水与酒精超声清洗干净后放在滤纸上自然干燥；然后将晶片插入石英舟后推入玻璃管，在推入玻璃管之前先在管内滴入半粒黄豆大小的汞滴；c.将上述装有晶片与汞的玻璃管接入真空系统抽真空至0.02Pa后封下；d.将经排气密封装有晶片的玻璃管推入管状电炉内，进行复合缺陷离解处理；e.然后将晶片保持在200℃-220℃之间继续处理28-30天后冷却至室温取出，其特征在于：步骤d.将经排气密封装有晶片的玻璃管推入管状电炉内，进行复合缺陷离解处理的方法为：将炉温加热至300-320℃，汞源比晶片温度低0℃-20℃，保温4小时以上，以1.0℃-1.2℃/分钟的速率将炉温降至200℃-220℃。