[发明专利]侧面扩散金属氧化半导体晶体管的结构及其制作方法

摘要

本发明的侧面扩散金属氧化半导体晶体管的结构，包括有一马蹄型的闸极层，是由一第一直向延伸区域、一第二直向延伸区域以及一横向延伸区域所连接构成。一第一源极区域是形成于该闸极层的第一直向延伸区域的左侧壁周围，一第二源极区域是形成于该闸极层的第二直向延伸区域的右侧壁周围，一汲极区域是形成于该闸极层的第一直向延伸区域以及第二直向延伸区域的间隙内。一第一P型体是环绕该第一源极区域的侧壁与底部，一第二P型体是环绕该第二源极区域的侧壁与底部。其中，该闸极层的第一直向延伸区域以及该第一P型体的外围形成一第一重叠区域，且该闸极层的第二直向延伸区域以及该第二P型体的外围形成一第二重叠区域。

主权项

1.一种侧面扩散金属氧化半导体晶体管的结构，包括有：一半导体硅基底，其表面区域具有一第一导电型；一马蹄型的闸极层，是形成于该半导体硅基底的表面上，该马蹄型的闸极层是由一第一直向延伸区域、一第二直向延伸区域以及一横向延伸区域所连接构成，其中该第一直向延伸区域连接于该横向延伸区域的左侧，且该第二直向延伸区域连接于该横向延伸区域的右侧；一具有该第一导电型的第一源极区域，是形成于该半导体硅基底的表面区域内，且位于该闸极层的第一直向延伸区域的左侧壁周围；一具有该第一导电型的第二源极区域，是形成于该半导体硅基底的表面区域内，且位于该闸极层的第二直向延伸区域的右侧壁周围；一具有该第一导电型的汲极区域，是形成于该半导体硅基底的表面区域内，且位于该闸极层的第一直向延伸区域以及第二直向延伸区域的间隙内；一具有第二导电型的第一离子扩散区，是形成于该半导体硅基底的表面区域内，且环绕该第一源极区域的侧壁与底部；以及一具有第二导电型的第二离子扩散区，是形成于该半导体硅基底的表面区域内，且环绕该第二源极区域的侧壁与底部；其中，该闸极层的第一直向延伸区域以及该第一离子扩散区域的外围形成一第一重迭区域，且该闸极层的第二直向延伸区域以及该第二离子扩散区域的外围形成一第二重迭区域。