[发明专利]低密度低膨胀系数高热导率硅铝合金封装材料及制备方法有效
| 申请号： | 03119606.3 | 申请日： | 2003-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN1531072A | 公开（公告）日： | 2004-09-22 |
| 发明（设计）人： | 张永安;熊柏青;张济山;石力开;刘红伟;朱宝宏 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;C22C21/00;C22C1/00;B22F3/115 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程凤儒 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低密度低热膨胀系数高热导率的Si－Al合金封装材料及其制备方法，按重量百分比计，该合金成分为Si 50～70wt％，Al为余量。按合金成分配料，将原料熔化，浇铸成合金预制锭。在1600～1700℃将合金预制锭熔化，以惰性气体为雾化气体，进行快速凝固喷射成形制备，雾化压力为0.5～1.0MPa。本发明的新型SiAl合金材料的合金成分均匀、显微组织均匀、组织细小。该材料经热等静压或热压致密化处理可实现完全致密化，这种材料可用普通刀具进行机加工切削成型，可进行表面涂装、钎焊。该材料可应用于航空航天、电子、计算机、通信等领域的微电子线路和微波线路的封装材料。 | ||
| 搜索关键词： | 密度 膨胀系数 高热 导率硅 铝合金 封装 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种低密度低热膨胀系数高热导率SiAl合金封装材料，其特征在于：按重量百分比计，该合金成分为Si：50～70wt％，Al为余量。
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