[发明专利]用于无铬相位光刻技术中将半导体器件图案分解为相位和镀铬区域的方法和装置有效
| 申请号： | 03128639.9 | 申请日： | 2003-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN1450403A | 公开（公告）日： | 2003-10-22 |
| 发明（设计）人： | D·范登布雷克;J·F·陈;T·莱迪;K·E·瓦姆普勒;D·－F·S·苏 | 申请（专利权）人： | ASML蒙片工具有限公司 |
| 主分类号： | G03B27/42 | 分类号： | G03B27/42;G03F7/20;G03F9/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张志醒 |
| 地址： | 荷兰维尔*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种通过在一衬底上印刷一目标图案以产生一掩模的方法。所述方法包括步骤：(a)通过使用在掩模中形成的相位结构，以确定在衬底上成像的特征的最大宽度；(b)识别具有等于或者小于所述最大宽度的宽度的目标图案中包含的所有特征；(c)从所述目标图案中抽取宽度等于或者小于所述最大宽度的所有特征；(d)在对应于在步骤(b)中识别出的所有特征的掩模中形成相位结构；以及(e)在所述掩模中为执行步骤(c)之后的目标图案中保留的所有特征形成不透明的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 相位 光刻 技术 中将 半导体器件 图案 分解 镀铬 区域 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种通过在一衬底上印刷目标图案以产生一掩模的方法，所述方法包括步骤：(a)通过使用在所述掩模中形成的相位结构，确定在所述衬底上成像的特征的最大宽度；(b)识别所述目标图案中包含的具有等于或者小于所述最大宽度的宽度的所有特征；(c)从所述目标图案中抽取宽度等于或者小于所述最大宽度的所有特征；(d)在对应于在步骤(b)中识别出的所有特征的所述掩模中形成相位结构；以及(e)在所述掩模中为执行步骤(c)之后目标图案中保留的所有特征形成不透明的结构。
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