[发明专利]基于硅微机械技术的N×N光开关有效
申请号: | 03128991.6 | 申请日: | 2003-05-30 |
公开(公告)号: | CN1456908A | 公开(公告)日: | 2003-11-19 |
发明(设计)人: | 吴亚明;屈红昌 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | G02B6/26 | 分类号: | G02B6/26;G02B6/35;G02B6/28 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人: | 潘振甦 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及基于微机械技术的N×N光开关,其特征在于先制作2N个1×N或N×1光开关,然后将1×N或N×1光开关的输入输出系用全连接熔接。采用压电材料作为驱动方式,包括输入输出光纤阵列、夹持板、聚焦透镜、反射镜和驱动装置的连接方式。所采用的驱动装置,以及驱动装置的制作。其中夹持板采用硅微机械技术制作,反射镜和驱动装置的连接采用键合技术,以及硅微机械技术制作的连接方式。采用上述方法制作光纤阵列板、反射镜阵列,再配以透镜阵列,作为光耦合层、光传输层、光反射驱动层,构成了N×N光开关。可以大大的减小光开关的体积,降低N×N光开关的装配难度,增大光开关的容量,从而易于实现N×N的光交换。 | ||
搜索关键词: | 基于 微机 技术 开关 | ||
【主权项】:
1、一种基于硅微机械技术制作的N×N光开关,其特征在于它是由光反射驱动层,光传输层和光耦合层三层构成,通过光纤的熔接实现N×N光开关。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所,未经中国科学院上海微系统与信息技术研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/03128991.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种ZnO非线性电阻的制备方法
- 下一篇:耐低温涂料及其制备方法