[发明专利]电学感应源漏扩展区MOS晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 03142614.X | 申请日： | 2003-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN1477719A | 公开（公告）日： | 2004-02-25 |
| 发明（设计）人： | 刘文安;刘金华;黄如;张兴 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 余长江 |
| 地址： | 10087*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种感应源漏扩展区MOS晶体管结构及其制备方法。该结构采用倒置多晶硅侧墙充当感应源漏扩展区栅极；感应源漏扩展区是利用倒置多晶硅电学感应产生，同时沟道区利用倒置多晶硅侧墙形成；栅电极和倒置多晶硅侧墙之间有二氧化硅隔离层；栅极和倒置多晶硅侧墙下面均有氧化层；沟道区和感应源漏扩展区独立掺杂。采用倒置多晶硅侧墙充当感应源漏扩展区栅极，解决了缩短电学感应源漏扩展区长度的困难；采用沟道区和感应源漏扩展区独立掺杂，实现了沟道区和感应源漏扩展区各自阈值电压的优化。其制备是利用倒置多晶硅侧墙图形转移实现沟道区和利用倒置多晶硅侧墙充当感应源漏扩展区栅电极实现电学感应源漏扩展区，从而最终实现MOS器件。 | ||
| 搜索关键词： | 电学 感应 扩展 mos 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.感应源漏扩展区MOS晶体管，包括感应源漏区栅极、栅电极、沟道区、源漏区，其特征在于，所述感应源漏区栅极采用倒置多晶硅侧墙充当，源漏扩展区是利用倒置多晶硅电学感应产生，同时所述沟道区处于两个倒置多晶硅侧墙之间，利用两个倒置多晶硅侧墙中间的夹缝产生；所述栅电极和倒置多晶硅侧墙之间有二氧化硅隔离层；所述栅极和倒置多晶硅侧墙下面均有氧化层；所述沟道区和源漏扩展区独立掺杂。
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